孔结构对氮化硅陶瓷介电性能的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年增刊第1期
论文作者：徐洁 罗发 朱冬梅 赵锴 周万城 李军奇
关键词：氮化硅; 多孔陶瓷; 成孔剂; 冰冻-干燥法; 介电性能;
摘 要：采用添加成孔剂和冰冻-干燥法制备了具有不同气孔率的氮化硅多孔陶瓷,研究了该陶瓷在9.3 GHz的微波介电性能.用SEM对微观形貌进行观察.结果表明,不同的成型工艺制备出具有不用孔结构的氮化硅多孔陶瓷,添加成孔剂制备的多孔陶瓷为较大的孔、洞分布在较致密的基体上;冰冻-干燥法制备的多孔陶瓷具有复合孔结构.对试样介电特性的研究表明,除了气孔率对介电常数和介电损耗有较大影响外,孔结构也是影响其介电特性的重要因素.
徐洁1，罗发1，朱冬梅1，赵锴1，周万城1，李军奇1
(1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072)
摘要:采用添加成孔剂和冰冻-干燥法制备了具有不同气孔率的氮化硅多孔陶瓷,研究了该陶瓷在9.3 GHz的微波介电性能.用SEM对微观形貌进行观察.结果表明,不同的成型工艺制备出具有不用孔结构的氮化硅多孔陶瓷,添加成孔剂制备的多孔陶瓷为较大的孔、洞分布在较致密的基体上;冰冻-干燥法制备的多孔陶瓷具有复合孔结构.对试样介电特性的研究表明,除了气孔率对介电常数和介电损耗有较大影响外,孔结构也是影响其介电特性的重要因素.
关键词:氮化硅; 多孔陶瓷; 成孔剂; 冰冻-干燥法; 介电性能;
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