天线罩用多孔氮化硅陶瓷的制备

来源期刊：功能材料2011年第S3期

论文作者：徐洁 周万城 王俊勃 苏晓磊 贺辛亥

文章页码：411 - 415

关键词：多孔氮化硅陶瓷;制备工艺;介电性能;天线罩;

摘    要：采用反应烧结工艺,通过添加成孔剂的方法,制备出具有球形宏观孔的低密度多孔氮化硅陶瓷,研究了球形宏观孔和烧结工艺对多孔氮化硅陶瓷性能的影响。实验结果表明,与未添加成孔剂的样品相比,成孔剂的添加有效降低了材料的气孔率,使材料的介电常数ε′和介电损耗tanδ下降。孔的加入能促进针状氮化硅的生成,降低单位体积中产生的热量,防止局部过热从而避免硅熔现象的出现。缓慢的升温速率可促进α-Si3N4的生成,减少针状物,降低试样中游离硅的含量。烧结后的试样经过热处理可以使氧原子扩散进入材料内部,和试样中的游离Si结合成SiO2,降低试样的介电性能。