粉末电热体加热法合成碳化硅晶片
来源期刊：稀有金属材料与工程2008年增刊第1期
论文作者：孟永强 白志民 戴长虹
关键词：粉末电热体加热法; 碳化硅; 晶片;
摘 要：常规加热技术生产的碳化硅晶片能耗大、成本高,所以在国内外市场上碳化硅晶片的供应量少、价格高,限制了碳化硅晶片在复合材料中的广泛应用.采用粉末电热体加热技术,以SiO2微粉和碳黑为原料,在较低合成温度1900℃下、较短的合成时间3 h内得到了直径为50～200μm、厚度为5～20 μm的碳化硅晶片,并探讨了合成碳化硅晶片的影响因素.研究表明,该加热技术的推广与应用,可以有效地实现碳化硅晶片的低成本、规模化生产.
孟永强1，白志民1，戴长虹3
(1.中国地质大学,北京,100083;
2.河北科技大学,河北,石家庄,050054;
3.青岛理工大学,山东,青岛,266033)
摘要:常规加热技术生产的碳化硅晶片能耗大、成本高,所以在国内外市场上碳化硅晶片的供应量少、价格高,限制了碳化硅晶片在复合材料中的广泛应用.采用粉末电热体加热技术,以SiO2微粉和碳黑为原料,在较低合成温度1900℃下、较短的合成时间3 h内得到了直径为50～200μm、厚度为5～20 μm的碳化硅晶片,并探讨了合成碳化硅晶片的影响因素.研究表明,该加热技术的推广与应用,可以有效地实现碳化硅晶片的低成本、规模化生产.
关键词:粉末电热体加热法; 碳化硅; 晶片;
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