氧气含量对ITO薄膜电学性能及其稳定性的影响

许积文^1,2，杨祖培¹，王华²，徐华蕊²，张小文²

1. 陕西师范大学材料科学与工程学院2. 桂林电子科技大学材料科学与工程学院

摘 要：调节磁控溅射工艺中氧气的含量,在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究氧气含量对ITO薄膜光学、电学性能的影响,以及在高温、高温高湿、碱性环境及经时的电学性能的稳定性。结果表明,氧气含量的增加会降低沉积速率;氧气含量对ITO薄膜在可见光区内的透光率影响较小,但会引起峰值透光率蓝移;对电学性能及其稳定性影响较大,氧气含量在1%(体积分数)以内时,电学性能呈先降低后升高的变化,在0.4%(体积分数)时具有较低的电阻率,且在各种环境中具有较高的稳定性;氧气含量高于1%(体积分数),电学性能及其稳定性变差。

关键词：ITO薄膜;氧气含量;电学性能;稳定性;