纳米片状NiO的合成及电容性质

来源期刊：功能材料2010年第S1期

论文作者：侯相钰 冯静 王志强 严俊 张密林

文章页码：35 - 77

关键词：NiO;纳米片;电容性质;沉淀法;

摘    要：采用沉淀法在500℃下草酸溶液中合成了NiO纳米片。以扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、循环伏安曲线和充放电曲线等表征了所得NiO的形态、晶体结构和电化学性质。结果表明,所得到的NiO纳米片长度为100～150nm,宽度为30～50nm。NiO的纯度高,晶体结构为六方相。并且纳米片的形态和晶格常数随合成温度的改变而变化。由于纳米片形貌大大增加了表面氧化镍的比率,所得NiO纳米片具有较好的电容性质,循环伏安曲线包含两对较强的氧化还原峰,比电容量为157.89F/g。