超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征
来源期刊：功能材料与器件学报2010年第1期
论文作者：张帅 毕大炜 陈明 张正选
关键词：SOI; SIMOX; Pseudo-MOSFET; 隐埋氧化层; SOI; SIMOX; Pseudo-MOSFET; BOX;
摘 要：介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响.研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于1200nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低.Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质.
张帅1，毕大炜1，陈明1，张正选1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;
2.中国科学院研究生院,北京,100039)
摘要:介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响.研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于1200nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低.Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质.
关键词:SOI; SIMOX; Pseudo-MOSFET; 隐埋氧化层; SOI; SIMOX; Pseudo-MOSFET; BOX;
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