H2O2在精抛过程中对铜布线平坦化的影响
来源期刊:功能材料2014年第S1期
论文作者:曹阳 刘玉岭 王辰伟
文章页码:48 - 107
关键词:化学机械平坦化;碱性铜精抛液;双氧水;碟形坑;残余铜;
摘 要:采用自主研发的碱性铜抛光液,使用前稀释50倍加入不同剂量H2O2配制成碱性铜精抛液。实验结果表明,随着H2O2含量的增加,铜的静态腐蚀速率(CuDR)、抛光速率(CuPR)以及阻挡层Ta/TaN均有小幅度的降低,但在MIT854布线片上精抛实验结果表明,碟形坑随着H2O2含量的增加逐渐降低,加入5%(体积分数)H2O2的精抛液,在粗抛实现初步平坦化后,精抛去除残余铜的过程中,能够实现不同线条尺寸的完全平坦化,碟形坑在工业要求范围内。研究结果表明,H2O2含量的增加对速率影响不明显,但有利于铜布线片的平坦化。此规律对提高CMP全局平坦化具有极重要的作用。
曹阳,刘玉岭,王辰伟
河北工业大学微电子研究所
摘 要:采用自主研发的碱性铜抛光液,使用前稀释50倍加入不同剂量H2O2配制成碱性铜精抛液。实验结果表明,随着H2O2含量的增加,铜的静态腐蚀速率(CuDR)、抛光速率(CuPR)以及阻挡层Ta/TaN均有小幅度的降低,但在MIT854布线片上精抛实验结果表明,碟形坑随着H2O2含量的增加逐渐降低,加入5%(体积分数)H2O2的精抛液,在粗抛实现初步平坦化后,精抛去除残余铜的过程中,能够实现不同线条尺寸的完全平坦化,碟形坑在工业要求范围内。研究结果表明,H2O2含量的增加对速率影响不明显,但有利于铜布线片的平坦化。此规律对提高CMP全局平坦化具有极重要的作用。
关键词:化学机械平坦化;碱性铜精抛液;双氧水;碟形坑;残余铜;