SiC泡沫陶瓷材料的高温氧化行为
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年增刊第3期
论文作者：张劲松 田冲 杨振明 郑传伟 曹晓明
关键词：SiC; 泡沫陶瓷; 氧化; 结晶; SiC; foam ceramic; oxidation; crystallization;
摘 要：采用可控熔渗反应烧结法制备具有宏观三维连通结构的SiC泡沫陶瓷,研究了SiC泡沫在不同温度的氧气中的氧化行为.结果表明:在800～1300 ℃温度范围内,SiC泡沫陶瓷与块体SiC陶瓷类似,其氧化动力学曲线符合抛物线规律,氧化过程受氧化剂在氧化膜中的扩散控制,氧化膜结晶后材料的氧化速率显著降低.
张劲松1，田冲1，杨振明1，郑传伟1，曹晓明1
(1.中科院金属研究所,辽宁,沈阳,110016)
摘要:采用可控熔渗反应烧结法制备具有宏观三维连通结构的SiC泡沫陶瓷,研究了SiC泡沫在不同温度的氧气中的氧化行为.结果表明:在800～1300 ℃温度范围内,SiC泡沫陶瓷与块体SiC陶瓷类似,其氧化动力学曲线符合抛物线规律,氧化过程受氧化剂在氧化膜中的扩散控制,氧化膜结晶后材料的氧化速率显著降低.
关键词:SiC; 泡沫陶瓷; 氧化; 结晶; SiC; foam ceramic; oxidation; crystallization;
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