提高MgB2超导体临界电流密度的研究进展
来源期刊：材料导报2006年第11期
论文作者：张金仓 任树洋 池长昀 任维丽 任忠鸣
关键词：MgB2; 制备工艺; 元素掺杂; 强磁场;
摘 要：临界电流是超导体载流能力大小的重要表征,论述了制备工艺、元素掺杂和物理场对MgB2超导体临界电流密度的影响.使用非晶态高纯硼粉制备致密的MgB2试样有利于样品临界电流密度的提高,添加SiC或者Ti也能起到提高临界电流密度的作用,质子照射使MgB2试样在高磁场条件下的临界电流密度增加,强磁场下烧结则有利于提高MgB2样品临界的传输电流密度.
张金仓1，任树洋2，池长昀1，任维丽2，任忠鸣2
(1.上海大学理学院,上海,200436;
2.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072)
摘要:临界电流是超导体载流能力大小的重要表征,论述了制备工艺、元素掺杂和物理场对MgB2超导体临界电流密度的影响.使用非晶态高纯硼粉制备致密的MgB2试样有利于样品临界电流密度的提高,添加SiC或者Ti也能起到提高临界电流密度的作用,质子照射使MgB2试样在高磁场条件下的临界电流密度增加,强磁场下烧结则有利于提高MgB2样品临界的传输电流密度.
关键词:MgB2; 制备工艺; 元素掺杂; 强磁场;
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