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300 mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化

来源期刊:稀有金属2007年第6期

论文作者:黄军辉 库黎明 周旗钢 万关良 肖清华

关键词:双面化学机械抛光; 轨迹模拟; 非均匀性; DSP;

摘    要:通过建立300 mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程, 分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动轨迹分布的影响, 调整三者大小使得运动轨迹分布较均匀. 实验证明运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系, 计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率. 研究结果为300 mm硅片双面化学机械抛光找出优化工艺参数、提高硅片抛光后表面质量提供了理论依据.



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300 mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化

黄军辉1,库黎明1,周旗钢1,万关良1,肖清华1

(1.北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司,北京,100088)

摘要:通过建立300 mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程, 分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动轨迹分布的影响, 调整三者大小使得运动轨迹分布较均匀. 实验证明运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系, 计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率. 研究结果为300 mm硅片双面化学机械抛光找出优化工艺参数、提高硅片抛光后表面质量提供了理论依据.

关键词:双面化学机械抛光; 轨迹模拟; 非均匀性; DSP;

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