n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究
来源期刊：工程科学学报2008年第11期
论文作者：马继开 王德君 朱巧智 赵亮 王海波
文章页码：1282 - 1285
关键词：4H-SiC;MOS电容;湿氧二次氧化退火;SiO2/SiC界面;
摘 要：在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim（F-N）隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV.cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1.cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求.
马继开，王德君，朱巧智，赵亮，王海波
摘 要：在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim（F-N）隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV.cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1.cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求.
关键词：4H-SiC;MOS电容;湿氧二次氧化退火;SiO2/SiC界面;
