氧化剂浓度对4H-SiC化学机械抛光效果的影响

来源期刊：功能材料2016年第10期

论文作者：高飞 李晖 徐永宽

文章页码：10189 - 10192

关键词：碳化硅;化学机械抛光;氧化剂浓度;原子台阶构型;

摘    要：以4H-SiC（0001）面为研究对象,采用原子力显微镜和X光电子能谱研究了抛光晶片表面的形貌和成分,讨论了氧化剂浓度对SiC化学机械抛光去除速率以及微观形貌的影响。结果表明,在化学机械抛光过程中SiC晶片的表面会生成二氧化硅,抛光液中氧化剂的浓度直接影响SiC的氧化进程,增大氧化剂的浓度可以显著提高抛光去除速率,当氧化剂浓度为0.15mol/L时,抛光去除速率可以达到约1 200nm/h,同时可以获得一个无划痕、超光滑、具有原子台阶构型的抛光表面,表面粗糙度值Ra低至0.0853nm。