质子辐照对多层膜巨磁电阻结构磁性能的影响（英文）

尹聪^1,2，谢丹^1,2，徐建龙^1,2，任天令^1,2

1. 清华大学微电子学研究所2. 清华大学清华信息科学与技术国家实验室

摘 要：研究了质子辐照对多层膜巨磁电阻结构磁性能的影响。利用5 MeV的不同辐照剂量和剂量率的质子对磁控溅射法制备的CoFe/(CoFe/Cu)10/CoFe/Ta多层膜巨磁电阻结构进行辐照实验。XRD分析表明质子辐照没有改变CoFe/Cu的晶格结构。分析磁滞回线和磁电阻曲线得知在实验选取的辐照剂量范围内,饱和磁化强度和本征电阻随着辐照剂量的增加而增加,而矫顽场和磁电阻率随剂量的增加而减小。利用质子辐照对自旋相关散射、平均自由程的影响解释了本征电阻的变化,并基于二流体模型对磁电阻率的变化进行了分析。由此得出,多层膜巨磁电阻结构具有一定的抗辐照能力。

关键词：巨磁电阻;质子辐照;自旋相关散射;二流体模型;