模板法制备介孔VN纳米电极材料及其电容性能

来源期刊：无机材料学报2012年第12期

论文作者：高兆辉 张浩 曹高萍 韩敏芳 杨裕生

文章页码：1261 - 1265

关键词：电化学电容器;介孔材料;VN纳米晶;比表面积;比电容;

摘    要：以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,通过高温氨解还原V2O5前驱体制得了具有丰富介孔的VN纳米材料,采用XRD与TEM分析观察样品的结构和形貌,用N2吸附测试样品的比表面积和孔径分布.XRD分析表明,介孔VN纳米材料属于立方晶系的晶体结构.TEM和N2吸附测试结果表明,VN纳米材料的颗粒粒径大约为10 nm,比表面积为88 m2/g,有比较丰富的2~6 nm的介孔.在1 mol/L KOH电解液中进行循环伏安和恒流充放电测试研究其电容性能,结果显示,VN电极同时具有双电层电容性能和氧化–还原反应的准电容性能,1 mV/s的扫描速率下能获得517 F/g的比电容;当扫描速率增大到10 mV/s时,其比电容仍有275 F/g.