掺稀土半导体光电特性和应用
来源期刊：中国稀土学报2002年第6期
论文作者：陈长勇 许振嘉 陈维德 宋淑芳
关键词：稀土元素; GaN; 硅基材料; 发光;
摘 要：结合我们近年来在掺稀土硅基材料和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的发光研究, 简述目前国际上在这方面研究的新进展. 重点介绍掺铒硅基发光和掺稀土GaN发光材料和器件的研究结果.
陈长勇1，许振嘉1，陈维德1，宋淑芳1
(1.中国科学院半导体所,北京,100083;
2.中国科学院凝聚态物理中心和表面物理国家重点实验室,北京,100080)
摘要:结合我们近年来在掺稀土硅基材料和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的发光研究, 简述目前国际上在这方面研究的新进展. 重点介绍掺铒硅基发光和掺稀土GaN发光材料和器件的研究结果.
关键词:稀土元素; GaN; 硅基材料; 发光;
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