GaN基材料的特性及光电器件应用
来源期刊：世界有色金属2003年第2期
论文作者：蒋荣华 肖顺珍
文章页码：35 - 39
关键词：GaN;光电器件;微电子器件;
摘 要：GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大,以及介电常数小等特点,因此,它们在 高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器,以及在高温、高频、大功率半导体器件等领域有 着广泛的应用前景。
蒋荣华，肖顺珍
四川峨眉半导体材料研究所
摘 要：GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大,以及介电常数小等特点,因此,它们在 高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器,以及在高温、高频、大功率半导体器件等领域有 着广泛的应用前景。
关键词：GaN;光电器件;微电子器件;
