核壳结构SiC/SiO₂ 纳米线的低温合成与表征

来源期刊：无机材料学报2013年第9期

论文作者：赵春荣 杨娟玉 丁海洋 卢世刚

文章页码：971 - 976

关键词：SiC/SiO2核壳结构纳米线;碳热还原;酚醛树脂;光致发光;

摘    要：以酚醛树脂（PF）作为碳源,纳米SiO2为硅源,在1300℃氩气气氛下通过碳热还原反应,制备出具有核壳结构的SiC/SiO2纳米线。采用X射线分析衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）、拉曼光谱（Raman）对产物的组成、形貌、微观结构等进行了表征。结果表明;SiC/SiO2纳米线长可达数毫米,单根SiC/SiO2纳米线由直径30 nm的β-SiC晶体为内核和厚度约12 nm的无定形SiO2壳层组成;室温下SiC/SiO2纳米线的PL发光峰与β-SiC单晶的发光特征峰相比有蓝移。最后,讨论了核壳结构SiC/SiO2纳米线的生成机制。