SiC半导体材料产业发展现状
来源期刊：材料开发与应用2015年第3期
论文作者：杨东杰 李丽丽
文章页码：110 - 114
关键词：SiC;半导体;器件;物理气相传输法;
摘 要：本文介绍了SiC半导体材料的性能优势,应用前景和制备方法,重点对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述,分析了SiC单晶材料国内外产业发展现状及发展瓶颈,同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。
杨东杰，李丽丽
中国船舶重工集团公司第七二五研究所厦门材料研究院
摘 要：本文介绍了SiC半导体材料的性能优势,应用前景和制备方法,重点对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述,分析了SiC单晶材料国内外产业发展现状及发展瓶颈,同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。
关键词：SiC;半导体;器件;物理气相传输法;
