Mg2+在金属-电介质复合材料中的掺杂研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年第6期
论文作者：王洪儒 王大鹏 李玲霞 孟旭东 郭锐 李慧灵
关键词：金属-电介质; 掺杂; 晶格常数; B位取代;
摘 要：研究了镁离子在金属.电介质复合材料中的改性作用.通过SEM、EDS、XRD等分析手段综合得出Mg2+取代了BaTiO3晶格中B位的Ti4+,并使置换出来的Ti4+在样品表面形成富集.介电性能分析证明Mg2+可以明显降低系统介电损耗,展宽并压低居里峰.当Mg2+添加量为0.9%(摩尔分数),系统介电常数高达11395,介电损耗为0.006,并在-55～150 ℃范围内容量变化率＜士10%.
王洪儒1，王大鹏1，李玲霞1，孟旭东2，郭锐1，李慧灵2
(1.天津大学,天津,300072;
2.河北北方学院,河北,张家口,076500)
摘要:研究了镁离子在金属.电介质复合材料中的改性作用.通过SEM、EDS、XRD等分析手段综合得出Mg2+取代了BaTiO3晶格中B位的Ti4+,并使置换出来的Ti4+在样品表面形成富集.介电性能分析证明Mg2+可以明显降低系统介电损耗,展宽并压低居里峰.当Mg2+添加量为0.9%(摩尔分数),系统介电常数高达11395,介电损耗为0.006,并在-55～150 ℃范围内容量变化率＜士10%.
关键词:金属-电介质; 掺杂; 晶格常数; B位取代;
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