纳米多孔SiO2薄膜疏水性的研究进展
来源期刊：材料导报2005年第11期
论文作者：冯坚 高庆福 成慧梅 王娟 周仲承 张长瑞
关键词：纳米多孔SiO2薄膜; 疏水处理; 接触角; 低介电常数;
摘 要：超低介电常数纳米多孔SiO2薄膜在未来超大规模集成电路(ULSI)中有着广阔的应用前景,但其疏水性能的好坏是决定其能否在ULSI中应用的重要因素之一.介绍了国内外有关纳米多孔SiO2薄膜疏水性的原理、工艺以及表征方法.
冯坚1，高庆福1，成慧梅2，王娟1，周仲承1，张长瑞1
(1.国防科技大学航天与材料工程学院CFC国防科技重点实验室,长沙,410073;
2.国防科技大学机电工程与自动化学院CFC国防科技重点实验室,长沙,410073)
摘要:超低介电常数纳米多孔SiO2薄膜在未来超大规模集成电路(ULSI)中有着广阔的应用前景,但其疏水性能的好坏是决定其能否在ULSI中应用的重要因素之一.介绍了国内外有关纳米多孔SiO2薄膜疏水性的原理、工艺以及表征方法.
关键词:纳米多孔SiO2薄膜; 疏水处理; 接触角; 低介电常数;
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