GaN/SiC异质结正向恢复行为的数值模拟

来源期刊：材料导报2016年第8期

论文作者：赵少云 韦文生

文章页码：143 - 305

关键词：GaN/SiC异质结;正向恢复;峰值电压;正向恢复时间;数值模拟;

摘    要：利用Matlab编程模拟仿真了GaN/SiC异质结的正向恢复过程。讨论了GaN/SiC异质结的模型,分析了异质结的外因（外加电流变化率、温度等）及内因（N区掺杂浓度、电子迁移率等）对异质结正向峰值电压和正向恢复时间的影响,对比了GaN/6H-SiC、GaN/4H-SiC、GaN/3C-SiC三种异质结的正向恢复过程。结果表明,前述内、外因素对GaN/SiC异质结的正向恢复有明显影响,可通过调节各参数以优化GaN/SiC异质结的正向恢复过程。