低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜
来源期刊：功能材料2004年第4期
论文作者：杨少延 刘力锋 李艳丽 张富强 陈诺夫 陈晨龙 刘志凯
关键词：低能离子束; 硅; 铁磁性; 磁性半导体;
摘 要：利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe-Si合金薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性.测试结果表明在室温下制备的Fe-Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性.当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe-Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制.
杨少延1，刘力锋1，李艳丽1，张富强1，陈诺夫1，陈晨龙1，刘志凯1
(1.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;
2.中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100083)
摘要:利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe-Si合金薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性.测试结果表明在室温下制备的Fe-Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性.当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe-Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制.
关键词:低能离子束; 硅; 铁磁性; 磁性半导体;
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