含Eu络合物掺杂的PMMA光致发光薄膜的制备与表征
来源期刊：材料导报2013年第4期
论文作者：易松 杨永兵 杨廷海 李锦春 陈强
文章页码：86 - 89
关键词：光致发光;稀土;薄膜;
摘 要：制备了稀土Eu3+与4-甲氧基二苯甲酰甲烷（4-methoxy-dibenzoylmethane,MDBM）、邻菲罗啉（Phenan-throline,Phen）的络合物Eu（MDBM）3（Phen）x,并通过IR、UV、FS（荧光光谱）对其进行了表征。将Eu（MDBM）3-（Phen）x掺杂到聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）中,得到了光致发光PMMA薄膜。研究结果表明,该薄膜具有较好的光致发光性能,主要荧光激发峰位于380nm,主要荧光发射峰位于613nm,络合物Eu（MDBM）3（Phen）x掺杂量从0.8%增加到1.2%时,薄膜的荧光发射强度呈持续增强趋势,在613nm波长处发射强度增强了13倍。
易松1,2，杨永兵2，杨廷海2，李锦春1，陈强1,2,3
1. 常州大学材料科学与工程学院2. 南京大学常州高新技术研究院3. 南京大学化学化工学院
摘 要：制备了稀土Eu3+与4-甲氧基二苯甲酰甲烷（4-methoxy-dibenzoylmethane,MDBM）、邻菲罗啉（Phenan-throline,Phen）的络合物Eu（MDBM）3（Phen）x,并通过IR、UV、FS（荧光光谱）对其进行了表征。将Eu（MDBM）3-（Phen）x掺杂到聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）中,得到了光致发光PMMA薄膜。研究结果表明,该薄膜具有较好的光致发光性能,主要荧光激发峰位于380nm,主要荧光发射峰位于613nm,络合物Eu（MDBM）3（Phen）x掺杂量从0.8%增加到1.2%时,薄膜的荧光发射强度呈持续增强趋势,在613nm波长处发射强度增强了13倍。
关键词：光致发光;稀土;薄膜;
