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一步溶剂热法制备立方状ITO纳米粉体

来源期刊:稀有金属材料与工程2019年第7期

论文作者:陈玉洁 翟晓宇 刘家祥

文章页码:2358 - 2363

关键词:铟锡氧化物;纳米粉体;溶剂热法;立方状;电阻率;

摘    要:通过一步溶剂热法制备出导电性良好的立方状ITO纳米粉体。研究了不同溶剂、反应温度和反应时间对ITO粉体微观结构和电性能的影响。结果表明,以乙二醇为溶剂,在250℃下反应24h,ITO纳米粉体的电阻率最低为0.2Ω×cm,平均粒径为45.95 nm。随反应时间的延长,通过溶解-再结晶机制,棒状前驱体逐步向立方状In2O3转化。在In2O3晶体形成过程中,乙二醇和四甲基铵根离子吸附在晶体表面,使垂直于(200)晶面的生长速率降低,诱导形成立方状颗粒。

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一步溶剂热法制备立方状ITO纳米粉体

陈玉洁,翟晓宇,刘家祥

北京化工大学材料电化学过程与技术北京市重点实验室

摘 要:通过一步溶剂热法制备出导电性良好的立方状ITO纳米粉体。研究了不同溶剂、反应温度和反应时间对ITO粉体微观结构和电性能的影响。结果表明,以乙二醇为溶剂,在250℃下反应24h,ITO纳米粉体的电阻率最低为0.2Ω×cm,平均粒径为45.95 nm。随反应时间的延长,通过溶解-再结晶机制,棒状前驱体逐步向立方状In2O3转化。在In2O3晶体形成过程中,乙二醇和四甲基铵根离子吸附在晶体表面,使垂直于(200)晶面的生长速率降低,诱导形成立方状颗粒。

关键词:铟锡氧化物;纳米粉体;溶剂热法;立方状;电阻率;

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