4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进
来源期刊：功能材料与器件学报2006年第3期
论文作者：张进城 郝跃 王冲 杨燕
关键词：高电子迁移率晶体管; 台面隔离; 泄漏电流;
摘 要：采用离子注入和ICP干法刻蚀相结合的台面隔离技术提高了4H-SiC衬底AlGaN/GaNHEMTs的直流特性和高频特性.与只采用干法刻蚀进行台面隔离的器件相比,相邻器件有源区之间的泄漏电流减少了两个数量级,栅肖特基泄漏电流在栅漏电压为-40V时由38.5μA减小到1.2μA,截止频率由3.2 GHz提高到6.7 GHz.分析了器件泄漏电流减小和频率特性提高的原因.
张进城1，郝跃1，王冲1，杨燕1
(1.宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071)
摘要:采用离子注入和ICP干法刻蚀相结合的台面隔离技术提高了4H-SiC衬底AlGaN/GaNHEMTs的直流特性和高频特性.与只采用干法刻蚀进行台面隔离的器件相比,相邻器件有源区之间的泄漏电流减少了两个数量级,栅肖特基泄漏电流在栅漏电压为-40V时由38.5μA减小到1.2μA,截止频率由3.2 GHz提高到6.7 GHz.分析了器件泄漏电流减小和频率特性提高的原因.
关键词:高电子迁移率晶体管; 台面隔离; 泄漏电流;
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