芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线中AlGaAs壳材料均匀性研究
来源期刊：材料导报2014年第12期
论文作者：赵翠俭 孙素静
文章页码：34 - 37
关键词：纳米线;均匀性;GaAs-AlGaAs;芯-壳结构;金属有机化学气相沉积;
摘 要：Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线材料被认为是高速光电探测器最有前途的材料之一。采用金属有机化学气相沉积法在GaAs（111）B衬底上生长芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线材料,GaAs芯材料的生长机制为气相-液相-固相,而AlGaAs壳材料的生长机制为气相-固相。采用场发射扫描电子显微镜和微区光荧光谱仪等测试分析手段研究了AlGaAs壳材料横向、轴向和生长方向的均匀性,探讨了生长机制对均匀性的影响。在此基础上获得了组分均匀的高晶体质量的AlGaAs壳材料,其Al组分为0.14。
赵翠俭1，孙素静2
1. 石家庄学院物理与电气信息工程学院2. 石家庄铁道大学信息科学与技术学院
摘 要：Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线材料被认为是高速光电探测器最有前途的材料之一。采用金属有机化学气相沉积法在GaAs（111）B衬底上生长芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线材料,GaAs芯材料的生长机制为气相-液相-固相,而AlGaAs壳材料的生长机制为气相-固相。采用场发射扫描电子显微镜和微区光荧光谱仪等测试分析手段研究了AlGaAs壳材料横向、轴向和生长方向的均匀性,探讨了生长机制对均匀性的影响。在此基础上获得了组分均匀的高晶体质量的AlGaAs壳材料,其Al组分为0.14。
关键词：纳米线;均匀性;GaAs-AlGaAs;芯-壳结构;金属有机化学气相沉积;
