Si（001）-p（2×2）表面原子结构与电子态的第一性原理研究
来源期刊：材料导报2015年第S2期
论文作者：刘芳 赵华 周武雷 郑勇 杨宇
文章页码：156 - 344
关键词：Si（001）-p（2×2）;原子结构;态密度;布居分析;第一性原理;
摘 要：采用基于第一性原理的密度泛函方法对Si（001）-p（2×2）表面的原子结构和电子态进行了系统的研究。计算采用的是含有8个Si原子层的超晶胞结构,且电子态是由Si（001）-p（2×2）表面的优化结构分析所得。计算结果表明表面形成了非对称二聚体,近表面几层原子发生相应的弛豫现象。由于表面原子的配位环境发生变化,表面原子的电荷分布也发生了变化。通过对比,得到了与实验结果一致的计算结果。
刘芳1，赵华1，周武雷1，郑勇1，杨宇2
1. 黔南民族师范学院物理与电子科学系2. 云南大学光电信息材料研究所
摘 要：采用基于第一性原理的密度泛函方法对Si（001）-p（2×2）表面的原子结构和电子态进行了系统的研究。计算采用的是含有8个Si原子层的超晶胞结构,且电子态是由Si（001）-p（2×2）表面的优化结构分析所得。计算结果表明表面形成了非对称二聚体,近表面几层原子发生相应的弛豫现象。由于表面原子的配位环境发生变化,表面原子的电荷分布也发生了变化。通过对比,得到了与实验结果一致的计算结果。
关键词：Si（001）-p（2×2）;原子结构;态密度;布居分析;第一性原理;
