丝裂霉素在β-环糊精修饰电极上的电化学研究
来源期刊:分析试验室2014年第4期
论文作者:葛明 张其平 王南平
文章页码:436 - 439
关键词:丝裂霉素;β-环糊精;修饰电极;包络;
摘 要:研究了丝裂霉素(MMC)在β-环糊精(β-CD)修饰金电极上的电化学行为。结果表明,β-CD/Au电极能与MMC发生表面包络反应。25℃,pH 7.0时,该电极表面包络常数为3.32×105L/mol,且表面包络常数随温度升高而增大,表现为吸热过程。该电极与MMC的包络呈不可逆的电化学过程。25℃,pH 7.0时,其速率常数为0.0706 s-1,且速率常数值随温度升高而增大,活化能为2.13 kJ/mol。在48μmol/L浓度范围内β-CD/Au电极上MMC的还原峰电流与浓度呈线性关系,线性方程Ip=14.86+0.43c,相关系数0.9931,检出限0.75μmol/L。
葛明1,2,张其平2,王南平2
1. 南通大学杏林学院2. 南通大学化学化工学院
摘 要:研究了丝裂霉素(MMC)在β-环糊精(β-CD)修饰金电极上的电化学行为。结果表明,β-CD/Au电极能与MMC发生表面包络反应。25℃,pH 7.0时,该电极表面包络常数为3.32×105L/mol,且表面包络常数随温度升高而增大,表现为吸热过程。该电极与MMC的包络呈不可逆的电化学过程。25℃,pH 7.0时,其速率常数为0.0706 s-1,且速率常数值随温度升高而增大,活化能为2.13 kJ/mol。在48μmol/L浓度范围内β-CD/Au电极上MMC的还原峰电流与浓度呈线性关系,线性方程Ip=14.86+0.43c,相关系数0.9931,检出限0.75μmol/L。
关键词:丝裂霉素;β-环糊精;修饰电极;包络;