5-HIAA在MWNT-Nafion修饰电极上的伏安行为
来源期刊:分析试验室2007年第9期
论文作者:刘素芹 戴高鹏 刘慧宏 陈雪
文章页码:99 - 101
关键词:多壁碳纳米管;修饰电极;5-HIAA;伏安法;
摘 要:研究了在磷酸盐缓冲溶液(pH 7.0)中,5-羟基吲哚乙酸(5-HIAA)在MWNT-Nafion修饰电极上的电化学行为。5-HIAA在MWNT-Nafion修饰电极上出现一个灵敏的氧化峰。与裸玻碳电极相比,MWNT-Nafion修饰电极提高5-HIAA的氧化峰电流。优化了各项测定参数,建立了一种直接测定HIAA的电分析方法。富集电位为-0.5 V,富集时间为300 s,氧化峰电流与5-HIAA的浓度在9.95×10-57.98×10-3mol/L之间有良好的线性关系,检出限为2.5×10-6mol/L。
刘素芹,戴高鹏,刘慧宏,陈雪
摘 要:研究了在磷酸盐缓冲溶液(pH 7.0)中,5-羟基吲哚乙酸(5-HIAA)在MWNT-Nafion修饰电极上的电化学行为。5-HIAA在MWNT-Nafion修饰电极上出现一个灵敏的氧化峰。与裸玻碳电极相比,MWNT-Nafion修饰电极提高5-HIAA的氧化峰电流。优化了各项测定参数,建立了一种直接测定HIAA的电分析方法。富集电位为-0.5 V,富集时间为300 s,氧化峰电流与5-HIAA的浓度在9.95×10-57.98×10-3mol/L之间有良好的线性关系,检出限为2.5×10-6mol/L。
关键词:多壁碳纳米管;修饰电极;5-HIAA;伏安法;