氨化Si基Ga2O3/V薄膜制备GaN纳米线
来源期刊：功能材料2008年第1期
论文作者：陈金华 秦丽霞 张冬冬 王公堂 薛成山 庄惠照 黄英龙 李红 杨兆柱
关键词：磁控溅射; GaN; V; 纳米线;
摘 要：为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/V薄膜,然后在流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行分析.研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN纳米线,且900℃时制备的纳米线质量最好,直径在60nm左右,长度达到十几微米.
陈金华1，秦丽霞1，张冬冬1，王公堂1，薛成山1，庄惠照1，黄英龙1，李红1，杨兆柱1
(1.山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014)
摘要:为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/V薄膜,然后在流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行分析.研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN纳米线,且900℃时制备的纳米线质量最好,直径在60nm左右,长度达到十几微米.
关键词:磁控溅射; GaN; V; 纳米线;
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