复合工艺制备C/SiC复合材料的热物理性能

周海军^1,2，董绍明^1,2，高乐^1,2，何平^1,2,3，张翔宇^1,2，丁玉生^1,2

1. 中国科学院上海硅酸盐研究所结构陶瓷与复合材料工程研究中心2. 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室3. 中国科学院大学

摘 要：为了研究SiC基体设计对C/SiC复合材料热物理性能的影响,本文采用化学气相渗透工艺结合有机前驱体浸渍裂解工艺制备SiC基体,通过两种工艺在C/SiC复合材料中制备不同比例的SiC基体,分析其对C/SiC复合材料热物理性能的影响。结果表明:随着CVI-SiC基体含量的提高,C/SiC复合材料的室温热导率明显提高;而RT-450℃范围内,CVI-SiC基体的含量对C/SiC复合材料的热膨胀系数的影响甚微。

关键词：C/SiC复合材料;基体设计;微观结构;热导率;热膨胀;