稀有金属 2007,(05),705-708 DOI:10.13373/j.cnki.cjrm.2007.05.008
原位反应制备NbN/MoSi2 /Si3 N4 复合材料
李传山 张雷
山东轻工业学院材料科学与工程学院,山东轻工业学院材料科学与工程学院,山东轻工业学院材料科学与工程学院 山东济南250353,山东济南250353,山东济南250353
摘 要:
用Si, Mo和Nb作为起始原料通过预烧结、氮化反应和N2气氛下的热压烧结制备出Si3N4/MoSi2/NbN复合材料, 借助扫描电镜和X射线衍射等分析手段对各阶段样品的相组成和显微组织进行了表征, 结果表明:在预烧结阶段获得了NbN, MoSi2和未反应的Si相;随着温度的提高, 氮化反应生成了α-Si3N4和少量β-Si3N4;最后经热压烧结制备了Si3N4/MoSi2/NbN复合材料。
关键词:
Si3N4 ;原位反应 ;热压 ;复合材料 ;
中图分类号: TB33
收稿日期: 2006-10-27
基金: 山东省自然科学基金资助项目 (Y2003F01);
In Situ Synthesis of NbN/MoSi2 /Si3 N4 -Composites
Abstract:
The ceramic composites of NbN/MoSi2/Si3N4 were prepared using Nb, Mo and Si powders by a three-step sinter procedure, i.e.pre-sintering, nitridation reaction and post-hot-press under N2 atmosphere.The microstructure and phase compositions of the samples of every step were characterized by scanning electron microscope and X-ray diffractometer.The results indicated that the materials obtained from pre-sintering step was composed of NbN, MoSi2 and un-reacted Si phase.Nitridation reaction at elevated temperature promoted the formation of α-Si3N4 and small fraction of β-Si3N4.The final step of post hot-press process led to the formation of ceramic composites with compositions of β-Si3N4, MoSi2and NbN.
Keyword:
Si3N4;in situ;post-hot-pressing;composites;
Received: 2006-10-27
氮化硅陶瓷具有极好的高温强度, 较高的硬度, 优良的耐腐蚀和耐磨损特性, 因而是一种在高温结构材料方面非常有发展前景的陶瓷材料。 由于氮化硅是高共价性化合物 (Si-N键中共价键成分为70%, 离子键成分为30%)
[1 ]
, 而且氮原子和硅原子的自扩散系数很低, 致密化所必需的体积扩散和晶界扩散速度慢、 烧结驱动力很小, 因而通过传统烧结很难得到高致密的氮化硅陶瓷
[2 ]
。 为了提高氮化硅的抗氧化性、 高低温韧性, 研究人员做了大量的工作
[3 ,4 ,5 ,6 ,7 ,8 ]
。 本文用Nb, Mo和Si粉体, 通过预烧、 热压烧结原位反应合成NbN/MoSi2 /Si3 N4 复合材料。 由于NbN独特的物理和化学性能
[9 ,10 ]
, MoSi2 的高温韧性-脆性转变
[4 ,11 ,12 ]
以及原位合成的诸多优越性, 获得的NbN/MoSi2 /Si3 N4 复合材料具有优良的抗氧化性和机械性能, 本文主要讨论NbN/MoSi2 /Si3 N4 复合材料的原位制备。
1 实 验
1.1 样品的制备
起始原料是Nb (纯度>99.99%, 粒度2 μm, 北京蒙泰有限技术开发公司) , Mo (纯度>99.9%, 粒度5 μm, 自贡硬质合金有限责任公司) , Si粉 (纯度>99.8%, 粒度10 μm, 大悟硅光电工业园有限公司) 。 按最终样品Si3 N4 88%, MoSi2 10%, NbN 2%比例混合Si, Mo, Nb粉体, 在行星式球磨机上球磨20 h, 所用球磨介质为酒精, 磨球为Si3 N4 球, 研磨后的浆料用喷雾干燥法得到球形粒子, 然后在40 MPa的压力下预压成片 (直径45 mm, 厚6 mm) 。 在混有5% H2 的N2 氮化炉中600 ℃氮化10 h, 1300 ℃预烧10 h, 1350 ℃氮化10 h, 1450 ℃氮化20 h, 然后再把氮化的样品放入石墨模具中, 在1750 ℃, 30 MPa的压力下在氮气氛中热压烧结1 h。
1.2 表征
把热压后的样品切割、 抛光, 然后再用NaOH溶液腐蚀。 用阿基米德法测样品的密度。 样品的理论密度根据混合规则计算。 材料的相结构用Rigaku Rint XRD衍射仪检测, 用扫描电镜 (HITACHI S-4200 SEM) 来观察样品的显微结构。
2 结果与讨论
2.1 预烧、 氮化的反应过程和显微结构
预烧原位合成MoSi2 和NbN。 实验根据Si3 N4 的预烧结温度为1100 ℃
[13 ]
, MoSi2 的形成温度为1200 ℃
[4 ]
, NbN 的形成温度为450 ℃
[14 ]
选择600和1300 ℃作为初期氮化和预烧结的温度。 图1是不同烧结阶段样品的XRD衍射图。 为了对比, 添加了原料混合物的XRD图谱。 从图中不难发现: (1) 在600 ℃煅烧10 h的样品中发现NbN; (2) 在1300 ℃下烧结后, 得到Si, Si3 N4 , MoSi2 和NbN的混合物; (3) 随着温度的升高, Si的剩余量逐渐减少。 样品的相对密度大约是75%, 收缩率为6%。
图1 原料及样品在不同烧结阶段的XRD图谱
Fig.1 XRD patterns of material and samples under different sintering stages
(1) Material; (2) 600 ℃, 10 h; (3) 1300 ℃, 10 h; (4) 1350 ℃, 10 h; (5) 1450 ℃, 20 h (●) Si; (■) Mo; (◆) Nb; (◇) NbN; (▼) α-Si3N4; (★) MoSi2; (▲) β-Si3N4
预烧坯料氮化的目的是把预烧结反应剩余的Si 完全氮化为 Si3 N4 相。 表1显示的是不同阶段氮化产物的相组成。
从表1可以看出, 在600 ℃时的样品为NbN, Si和Mo, 在1350 ℃反应的样品 (低Si相的熔点) 相组成包括NbN, MoSi2 , α-Si3 N4 , 少量的β-Si3 N4 和Si。 这说明在Si粉中, 在氮化的条件下直接形成了α-Si3 N4 。 随着烧结时间和温度的增加, Si粒子中断裂和错位的量也增加。 由于微观断裂, 使N2 进入到Si粉的内部, 加速了氮化过程。 从表1、 图1和2中可以看出在非常接近Si的熔点温度1350 ℃形成β-Si3 N4 。 因为放热反应使小区域的温度过高, 从而使这些区域里的Si熔化。 Si的熔化加速了β-Si3 N4 的形成并且促进了从α-Si3 N4 到β-Si3 N4 的相转变。 随着温度的升高, β-Si3 N4 的量逐渐增加, 而Si的量逐渐减少。 在1450 ℃, 氮化20 h样品中没有发现Si相的存在。 相组成是NbN, MoSi2 , α-Si3 N4 和针状的β-Si3 N4 。 由图2可以看出, 在氮化反应过程中形成了大尺寸的气孔。 图3显示分散在Si3 N4 基体中的MoSi2 (灰色) , NbN (白色) 复合材料的SEM图。 氮化产物的相对密度经测量达到了79%, 21%为气孔。
表1 预烧、 氮化反应样品的相组成
Table 1 Phase compositions of samples after presintering and nitrogenation
Sample
Phase composition 600 ℃×10 h
1300 ℃×10 h
1350 ℃×10 h
1450 ℃×20 h
Si-NbN-MoSi2
Si, NbN, Mo
Si, NbN, MoSi2 α-Si3 N4
Si, NbN, MoSi2 α-Si3 N4 Small β-Si3 N4
NbN, MoSi2 α-Si3 N4 β-Si3 N4
图2 比较大的气孔周围形成的β-Si3N4晶体
Fig.2 β-Si3 N4 crystals around largish pores
图3 样品氮化后断裂面的SEM照片
Fig.3 SEM micrograph of rupture plane of sample after nitrogenation
2.2 通过热压烧结从α-Si3N4到β-Si3N4的相转变
图4显示的是样品经热压后形成的NbN/MoSi2 /Si3 N4 混合物的XRD图谱。 从图中可以看出, 样品在化合反应中形成的α-Si3 N4 在热压后已经完全转变成β-Si3 N4 。 另外, 在热压后的样品中发现了少量的Mo5 Si3 。
通常认为从α-Si3 N4 到β-Si3 N4 的相转变机制是分解-扩散-析出机制。 为了促进Si3 N4 基陶瓷的致密化, 达到加速β-Si3 N4 的形成的目的, 在起始原料中经常使用氧化物添加剂
[15 ,16 ]
。 但是, 本实验在起始原料中, 没有添加任何氧化物烧结助剂, 从α-Si3 N4 到β-Si3 N4 的完全相转变, 是由于在化合反应样品中有少量剩余Si的存在, 随着温度的升高, Si熔化成液相, 在α-Si3 N4 到β-Si3 N4 的相转变过程中起了重要的作用。 图5显示, 针状的β-Si3 N4 (A) , 粒状的MoSi2 (B) 和NbN (C) 组成了NbN/MoSi2 /Si3 N4 复合材料的显微结构。 样品在最初氮化反应过程中所形成的β-Si3 N4 , 在热压过程中作为成核媒介, 使β-Si3 N4 相急剧增加。 不加任何氧化物添加剂很难得到完全致密的样品, 热压后的气孔率大约是7%~9%, 相对密度为91%~93%。
图4 样品在氮化反应 (1) 1450 ℃, 20 h, (2) 1750 ℃热压1 h后的XRD图谱
Fig.4 XRD patterns of samples after nitrogenation (1) 1450 ℃, 20 h; (2) 1750 ℃, heat pressing for 1 h (◇) NbN; (★) MoSi2 ; (▼) α-Si3 N4 ; (▲) β-Si3 N4
图5 热压样品腐蚀后断面的SEM照片
Fig.5 SEM micrograph of rupture planel of heat pressing sample corroded
3 结 论
1. 本文运用比较廉价的Si, Mo和Nb粉料作为起始原料通过三步工艺制备出Si3 N4 /MoSi2 /NbN复合材料。
2. 原位反应得到的Si3 N4 /MoSi2 /NbN复合材料, 各相分布均匀。
3. 在较低的600 ℃温度下, Nb粉完全氮化为NbN, MoSi2 和Si3 N4 相在1300~1450 ℃的高温下形成。 热压烧结工艺促进了α-Si3 N4 到β-Si3 N4 的相转变。
4. 在α-Si3 N4 到β-Si3 N4 的相转变过程中, 剩余Si起了重要的作用。
参考文献
[1] Wang C M, Pan X Q, Ruhle M.Silicon nitride crystal structureand observation of lattice defects[J].J.Mater.Sci., 1996, (31) :5281.
[2] 汪东亮.精细陶瓷材料[M].北京:中国物资出版社, 2000.87.
[3] 刘渝珍, 张庶元, 谭舜.Si3N4-TiN的氧化行为和显微结构的研究[J].电子显微学报, 1990, (3) :167.
[4] 张炳荣, 沈建兴.Si3N4/MoSi2陶瓷的制备工艺与组织研究[J].机械工程材料, 2000, (5) :8.
[5] 邹虹, 邹从沛.颗粒增韧Si3N4复合材料氧化行为的研究[J].核动力工程, 2002, 23 (4) :1.
[6] Yu Kelina, Plyasunkova L A, Chevykalova L A.High-temperatureoxidation resistance of ceramic matrix composites Si3N4-Cf[J].Pow-der Metallurgy and Metal Ceramics, 2003, 42 (6) :592.
[7] Petrovic John J, Pena Maria I.Frication and microstructures ofMoSi2peinforced-Si3N4matrix composites[J].J.Am.Ceram.Soc., 1997, 80 (5) :1111.
[8] Tampieri A, Bellosiand A, Biasini V.Oxidation resistance ofSi3N4-TiB2composites[J].See REF, 1998, (6) :409.
[9] Zhang S, Munir Z A.The combustion synthesis of refractory ni-trides[J].J.Mater Sci., 1991, (26) :3380.
[10] Agrafiotis C C, Puszynski J A, Hlavacek V.Effect of metal parti-cle morphology on the combustion of refractory metals in nitrogen[J].J.Am.Ceram.Soc., 1991, 74 (11) :2912.
[11] 颜建辉, 张厚安, 李益民.不同致密度MoSi2材料在700~1200℃的氧化行为[J].稀有金属, 2007, 31 (1) :18.
[12] 颜建辉, 张厚安, 唐思文, 李益民.La2O3-MoSi3/MoSi2复合材料的高温氧化行为[J].中国稀土学报, 2006, 24 (5) :551.
[13] 卡恩R W, 哈森P, 克雷默E J.陶瓷结构与性能[M].北京:科学出版社, 1998.107.
[14] 张永刚, 韩雅芳, 郭建亭, 万晓景, 冯涤.金属间化合物结构材料[M].北京:国防工业出版社, 2001.870.
[15] Ordonez S, Iturriza I, Castro F.The influence of amount and typeof additives onα-βSi3N4transformation[J].J.Mater.Sci., 1999, (34) :147.
[16] Honma T, Ukyo Y.Sintering process of Si3N4with Y2O3and Al2O3as sintering additives[J].J.Mater.Sci., 1999, (18) :735.