氢化纳米硅薄膜光电性质及其应用研究进展
来源期刊：材料导报2002年第2期
论文作者：王聪 韦文生 王天民
关键词：氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜 光电性质 量子功能器件;
摘 要：氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜具有室温下的高电导率、电致发光及光致发光等独特的性能,可应用于超大规模集成电路中,因而引起人们广泛的研究兴趣.简单地综述了国内外有关nc Si:H薄膜的制备方法、导电机理、发光机理及其应用于量子功能器件等方面的研完工作.
王聪1，韦文生1，王天民1
(1.北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京100083)
摘要:氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜具有室温下的高电导率、电致发光及光致发光等独特的性能,可应用于超大规模集成电路中,因而引起人们广泛的研究兴趣.简单地综述了国内外有关nc Si:H薄膜的制备方法、导电机理、发光机理及其应用于量子功能器件等方面的研完工作.
关键词:氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜 光电性质 量子功能器件;
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