气氛氧压对脉冲激光法制备的CeO2/Si薄膜的结晶取向的影响
来源期刊：功能材料2000年第2期
论文作者：林揆训 李美亚 范守善 赵清太 熊光成 王忠烈
关键词：CeO2薄膜; 结晶取向; 脉冲激光沉积; 气氛氧压;
摘 要：用脉冲激光镀膜法,在不同的温度和氧压条件下,在Si(100)片上制备了一系列的CeO2膜.X射线衍射分析表明,在较低的氧压下生长的CeO2膜为(111)取向,在较高的氧压下生长的膜则为(100)取向.研究表明,CeO2膜的取向对氧压显示了独特的依赖性,氧压对控制膜的结晶取向具有十分重要的作用.讨论了氧压对CeO2薄膜结晶取向影响的可能机理.
林揆训1，李美亚1，范守善3，赵清太4，熊光成2，王忠烈4
(1.汕头大学科学院材料所,广东 汕头,515063;
2.北京大学物理系;
3.清华大学物理系,北京,100084;
4.微电子研究所,北京,100871)
摘要:用脉冲激光镀膜法,在不同的温度和氧压条件下,在Si(100)片上制备了一系列的CeO2膜.X射线衍射分析表明,在较低的氧压下生长的CeO2膜为(111)取向,在较高的氧压下生长的膜则为(100)取向.研究表明,CeO2膜的取向对氧压显示了独特的依赖性,氧压对控制膜的结晶取向具有十分重要的作用.讨论了氧压对CeO2薄膜结晶取向影响的可能机理.
关键词:CeO2薄膜; 结晶取向; 脉冲激光沉积; 气氛氧压;
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