高压n LDMOS漂移区的设计研究
来源期刊：功能材料与器件学报2007年第6期
论文作者：宋李梅 杜寰 夏洋 王文博
关键词：RESURF; LDMOS; 击穿电压;
摘 要：讨论了漂移区长度及注入浓度等关键参数对于漏结击穿电压的影响,并详细分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.运用RESURF技术对 于高压LDMOS的漂移区进行设计和优化.研制出耐压170V的nLDMOSFET.并通过试验结果证明了分析的正确性.
宋李梅1，杜寰1，夏洋1，王文博1
(1.中科院微电子研究所,北京,100029)
摘要:讨论了漂移区长度及注入浓度等关键参数对于漏结击穿电压的影响,并详细分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.运用RESURF技术对 于高压LDMOS的漂移区进行设计和优化.研制出耐压170V的nLDMOSFET.并通过试验结果证明了分析的正确性.
关键词:RESURF; LDMOS; 击穿电压;
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