ZnO薄膜p型掺杂的研究进展
来源期刊：无机材料学报2003年第1期
论文作者：徐伟中 张银珠 叶志镇 吕建国
关键词：ZnO薄膜; p型掺杂; 特性;
摘 要：ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述.
徐伟中1，张银珠1，叶志镇1，吕建国1
(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027)
摘要:ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述.
关键词:ZnO薄膜; p型掺杂; 特性;
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