等离子体源增强磁控溅射沉积Al2O3薄膜研究
来源期刊：无机材料学报2002年第4期
论文作者：袁力江 张仲麟 雷明凯
关键词：氧化铝薄膜; 等离子体源; 磁控溅射沉积; 折射率;
摘 要：采用电子回旋共振微波等离子体源增强磁控溅射沉积氧化铝薄膜.X射线光电子谱和X射线衍射分析表明,在600°C沉积温度下,Si(100)基片上获得了亚稳的具有化学计量配比成分、面心立方结构的γ-Al2O3薄膜.薄膜的折射率为1.7,与稳定的α-Al2Os体材料相当.
袁力江1，张仲麟1，雷明凯1
(1.大连理工大学材料工程系表面工程研究室,大连,116024)
摘要:采用电子回旋共振微波等离子体源增强磁控溅射沉积氧化铝薄膜.X射线光电子谱和X射线衍射分析表明,在600°C沉积温度下,Si(100)基片上获得了亚稳的具有化学计量配比成分、面心立方结构的γ-Al2O3薄膜.薄膜的折射率为1.7,与稳定的α-Al2Os体材料相当.
关键词:氧化铝薄膜; 等离子体源; 磁控溅射沉积; 折射率;
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