茜素S复合铋膜电极电催化还原氯霉素
来源期刊:分析试验室2011年第3期
论文作者:李志英 肖阳 周长利 孙旦子
文章页码:35 - 39
关键词:茜素S复合铋膜电极;氯霉素;差示脉冲伏安法;
摘 要:本研究采用电化学法制备茜素S复合铋膜修饰玻碳电极,利用循环伏安法、差示脉冲伏安法(DPV)研究氯霉素在茜素S复合铋膜电极上的电化学行为,并对其电化学测试条件进行优化。在pH7.0的KH2PO4-Na2HPO4缓冲溶液中,氯霉素在-0.63 V处产生一灵敏的不可逆还原峰,显示出复合铋膜对氯霉素的还原有很好的催化作用。DPV峰电流与氯霉素浓度在0.5~100μmol/L范围内呈线性关系。线性方程ipc(μA)=2.995+0.095c(μmol/L),相关系数r=0.9996,检出限为0.1μmol/L(富集时间120 s)。
李志英,肖阳,周长利,孙旦子
济南大学化学化工学院
摘 要:本研究采用电化学法制备茜素S复合铋膜修饰玻碳电极,利用循环伏安法、差示脉冲伏安法(DPV)研究氯霉素在茜素S复合铋膜电极上的电化学行为,并对其电化学测试条件进行优化。在pH7.0的KH2PO4-Na2HPO4缓冲溶液中,氯霉素在-0.63 V处产生一灵敏的不可逆还原峰,显示出复合铋膜对氯霉素的还原有很好的催化作用。DPV峰电流与氯霉素浓度在0.5~100μmol/L范围内呈线性关系。线性方程ipc(μA)=2.995+0.095c(μmol/L),相关系数r=0.9996,检出限为0.1μmol/L(富集时间120 s)。
关键词:茜素S复合铋膜电极;氯霉素;差示脉冲伏安法;