中国有色金属学报 2004,(09),1461-1464 DOI:10.19476/j.ysxb.1004.0609.2004.09.004
类金刚石碳纳米线的制备及生长机理
唐元洪 张勇
湖南大学材料科学与工程学院,湖南大学材料科学与工程学院 长沙410082 ,长沙410082
摘 要:
采用热蒸发法制备了类金刚石碳纳米线,利用透射电子显微镜(TEM)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)对样品的形貌和结构进行观察,发现该碳纳米线具有圆形实心结构,表面光滑,直径1040nm;拉曼光谱研究显示特征峰出现在1352cm-1和1586cm-1处,为典型的类金刚石结构。用CO辅助生长机理解释类金刚石碳纳米线的形成过程。
关键词:
碳纳米线 ;热蒸发法 ;类金刚石 ;生长机理 ;
中图分类号: TB383
作者简介: 唐元洪(1965),男,教授,博士生导师.教授;电话:07318821778;E mail:yhtang@hnu.cn;
收稿日期: 2004-02-18
基金: 香港研究基金委员会与加拿大国家科学与工程研究委员会(NSERC)研究项目基金资助项目(7001112);
Synthesis and growth mechanism of diamond-like carbon nanowires
Abstract:
Diamond-like carbon nanowires were synthesized by a thermal evaporation method. By heating a pressed tablet of graphite powder mixed with nickel powers in a quartz tube mounted inside a high-temperature tube furnace at 1 200 ℃, diamond-like carbon nanowires were found on the inner wall of the quartz tube near a water-cooling copper finger. The morphology and structure of the carbon nanowires were studied by transmission electron microscopy (TEM) and high resolution transmission electron microscopy ( HRTEM). The nanowires have solid structure and are 104 0 nm in diameter. Raman study reveals that the spectra at 1 352 and 1 586 cm- 1 , which is agreed with diamond-like carbon structure. A CO-assisted growth model is used to explain the growth process.
Keyword:
carbon nanowire; thermal evaporation; diamond-like material; growth mechanism;
Received: 2004-02-18
纳米级碳材料如富勒烯
[1 ,2 ]
、 碳纳米管
[3 ]
等已经引起了科学家们极大的研究兴趣。 从化学键角度来看, 这些纳米级碳材料都以SP2 杂化成键
[4 ]
, 但其他碳材料碳—碳键还有以SP和SP3 杂化的
[5 ]
, 如卡宾和金刚石分别以SP和SP3 杂化。 碳纳米管由卷曲的石墨层片构成管身, 两端的封口为半球形富勒烯碳分子, 是中空的一维纳米晶形碳, 以SP2 杂化。 类金刚石碳材料指的是主要以SP2 成键, 且混入一定的SP3 键杂化而成的亚稳态碳材料
[6 ]
。 20世纪70年代初Aisenberg和Chabot首次制备了一种非晶碳膜, 因其具有诸多与金刚石相似的性能(优异的力学性能、 电学、 光学、 热学和化学特性)而命名为类金刚石(DLC)。 类金刚石薄膜具有高硬度和高弹性模量, 低摩擦系数以及抗化学腐蚀性, 可应用于防止金属划伤、 降低磨损率和防止化学腐蚀等方面; 类金刚石薄膜表面具有负电子亲和势, 可将其用作场电子发射材料; 另外, 类金刚石薄膜还具有良好的光学透过性。
类金刚石薄膜的这些优异性能也引起了人们对类金刚石一维碳材料(类金刚石碳纳米线)的研究兴
趣。 目前, 一维碳纳米线的制备方法主要为化学气相沉积法(CVD法)
[7 ,8 ]
, 但制备的碳纳米线多为中空结构, 外层为不完整的乱层结构和结晶度很低的薄层热解碳
[9 ]
, 直径大致在50~100 nm之间, 并不具有类金刚石结构。 关于一维实心碳纳米线制备的报道很少, Jiang
[10 ]
等由热丝CVD法分解乙醇制备出了直径小于100 nm, 实心弯曲的碳纳米线, 但以SP2 成键, 也不具备类金刚石特征。 本文作者采用简单的热蒸发工艺合成了实心结构的碳纳米线(CNWs), 并探讨了其生长机理。
1实验
使用的蒸发设备见图1。 与合成Si纳米线的设备基本相同
[11 ,12 ]
, 但放入了水冷却铜棒以控制制备时垂直的温度梯度。 在室温下, 将8 g石墨粉(粒度30 μm, 纯度99.85%)与质量分数为1%的Ni粉混合并采用液压压制成片。 将试样放入高温管式炉的石英管中, 抽真空到4×10-3 Pa, 再通入纯度99.99%的氩气, 流速50 cm3 /min, 管内压力约为1.01×105 Pa。 在1 200 ℃下将石英管加热24 h, 少量的黑灰将粘附在靠近铜冷却棒的石英管内壁。 实验前, 在预计产生黑灰的石英管内放置便于进行TEM观察的Mo网, 沉积了黑灰的Mo网用N2 吹去表面疏松的颗粒后直接进行TEM观察。
图1 制备类金刚石碳纳米线的热蒸发设备示意图
Fig.1 Schematic diagram of thermal evaporation apparatus
2结果与讨论
图2(a)显示了纳米线的TEM的明场像, 纳米线的直径为40 nm左右, 也有直径小于10 nm的, 与碳纤维的笔直形状不同的是该纳米线光滑且弯曲。 图2(a)中给出了单束纳米线的选区电子衍射(SEAD)图样, 发散的衍射环显示纳米线为非晶的
[13 ]
。 纳米线的SEAD图样与碳纳米管的SEAD图样明显不同, 碳纳米管的SEAD图样有对称的衍射点
[3 ]
。 图2(b)显示了对应区域图2(a)处的TEM的暗场像, 所有的纳米线相对于图2(a)为明亮的, 图2(a)和图2(b)对比进一步说明该纳米线为非晶的。
图2 碳纳米线的TEM像
Fig.2 TEM images of carbon nanowires (a)—Bright field image (b)—Dark field image
图3所示为纳米线的HRTEM像。 单根纳米线直径约为20 nm, 表面光滑, 没有晶须, 与碳纳米管不同。 当纳米线弯曲时, 弯曲部位的转向交叉点(图4箭头所示)清晰可见, 由此说明纳米线是圆形实心, 这是纳米线的共同特征, 如SiC
[14 ]
和Si
[15 ,16 ]
纳米线。
拉曼光谱分析提供了有效的方法证明合成的样品为类金刚石材料。 作者用Renishaw 2000型微拉曼系统研究这种纳米线, 激发源为波长514.5 nm的氩离子激光器, 光斑直径10 μm, 电弧消耗功率为4 mW, 工作温度为室温。 拉曼光谱显示特征峰出现在1 352 cm-1 和1 586 cm-1 处(图5), 这是典型的类金刚石碳材料的拉曼峰
[17 ]
。
图3 碳纳米线的HRTEM像
Fig.3 HRTEM image of carbon nanowire
图4 TEM中纳米线弯曲部位
Fig.4 TEM image of cross section of nanowires
图5 碳纳米线的Raman光谱
Fig.5 Raman spectrum of carbon nanowire
金属催化剂镍在纳米线的生长中起到重要作用, 如果没有Ni作催化剂则没有碳纳米线生成。 由图6可见碳纳米线的直径取决于试样Ni粉的直径, 在纳米线的顶端可发现不规则的纳米粒子, 用装配在TEM上的能谱仪(EDS)分析这是由C和Ni组成。 小直径的纳米线顶端没有发现纳米粒子(图6箭头所示), 推测小直径的碳纳米线在形成初期也有金属粒子在其顶端, 金属粒子的消失是由于纳米线生长过程中的金属消耗所致, 随着纳米线的增长, 金属粒径逐渐减小。
图6 纳米线端部带纳米粒子的TEM像
Fig.6 TEM image of nanoparticles on tips of nanowires
3CO辅助生长模型
根据上述研究结果, 作者提出了CO辅助生长类金刚石碳纳米线的模型(图7)。
图7 CO辅助生长模型
Fig.7 CO-assisted growth model of carbon nanowires
在这个模型中, 生成碳纳米线时原始反应物石墨首先与O2 或吸附在石墨试样中的水在高温下发生反应:
2C+O2 →2CO
和 C+H2 O→CO+H2
然后, CO分子被Ar气载到冷却端, 在催化剂表面分解成C原子和CO2 分子,
2CO→C+CO2
CO2 气体被机械泵抽出, CO与均匀混合在石墨中的Ni纳米粒子发生了如下反应:
Ni+CO→Ni(CO)4
因为Ni(CO)4 易挥发, 从而被携带气体Ar带到石英管另一端, 在这里, 水冷却铜棒控制了垂直的温度梯度, 生成碳纳米线的基部温度约为800 ℃。 碳原子逐渐渗透进入催化剂液滴, 按照VLS晶体生长机制
[18 ]
, 碳纳米线从液滴的另一端长出, 由于有CO中间产物辅助, 碳纳米线能连续生长, 其顶端的纳米催化剂粒子随着纳米线的增长逐步被消耗, 因而粒径逐渐减小。 试样的烧结实验验证了这一CO辅助生长机理, 试样在1 200 ℃温度下烧结72 h, 然后放入另一个石英管, 重复热蒸发实验, 却没有碳纳米线生成, 因为几乎所有吸附在压片中的氧气在高温烧结中已被除去, 因此中间产物CO无法形成, 碳纳米线也就不能生成了。
4结论
采用简单的热蒸发方法将石墨和Ni作为催化剂按一定比例混合加热到1 200 ℃, 直径40 nm左右的类金刚石碳纳米线将生成, 同时也发现了直径小于10 nm的碳纳米线, SAED和Raman研究表明碳纳米线为类金刚石的结构, 用CO辅助生长机理解释了碳纳米线的形成过程。
致谢 :
感谢香港城市大学李述汤教授对本工作的大力支持。
参考文献
[1] KrotoHW.Space,stars,C60andsoot[J].Science,1988,242:11391145.
[2] KratscherW,LambLD,FostiropoulosK,etal.SolidC60:Anewformofcarbon[J].Nature,1990,347:354358.
[3] IijimaS.Helicalmicrotubulesofgraphiticcarbon[J].Nature,1991,345:5658.
[4] KorugaD,HameroffS,WithersJ,etal.FullerenceC60[M].NorthHolland,Amsterdam:Elsevier,1993.9799.
[5] PrawerS,RossouwCJ.Structuralinvestigationofheliumion beam irradiatedglassycarbon[J].JApplPhys,1988,63(9):44354439.
[6] CuomoJJ,PappasDL,BruleyJohn,etal.VapordepositionprocessesforamorphouscarbonfilmswithSP3fractionsapproachingdiamond[J].JApplPhys1991,70(3):17061711.
[7] EndoM,KimYA,HayashiT,etal.Structuralcharacterizationofcup stacked typenanofiberswithanentirelyhollowcore[J].ApplPhysLett,2002,80(7):12671269.
[8] CrudenBA,CassellAM,QiYe,etal.Reactordesignconsiderationsinthehotfilament/directcurrentplasmasynthesisofcarbonnanofibers[J].JApplPhys,2003,94(6):40704078.
[9] EndoM,KimYA,HayashiT,etal.Vapor growncarbonfibers(VGCFs):Basicpropertiesandtheirbatteryapplications[J].Carbon,2001,39(9):12871297.
[10] JiangN,KoieR,LnaokaT,etal.Carbonnanofiberssynthesizedbydecompositionofalcoholatatmosphericpressure[J].ApplPhyLett,2002,81(3):526528.
[11] WangN,TangYH,ZhangYF,etal.NucleationandgrowthofSinanowiresfromsiliconoxide[J].PhysRevB,1998,58(24):1602416026.
[12] WangN,TangYH,ZhangYF,etal.Sinanowiresgrownfromsiliconoxide[J].ChemPhysLett,1999,299(2):237242.
[13] WilliamsDB,CarterCB.TransmissionElectronMicroscopy[M].NewYork:PlenumPress,1996.3234.
[14] ZhangY,SuenagaK,IijimaS.Coaxialnanocable:Siliconcarbideandsiliconoxidesheathedwithboronnitrideandcarbon[J].Science,1998,281:973975.
[15] ZhangYF,TangYH,WangN,etal.Siliconnanowirespreparedbylaserablationathightemperature[J].ApplPhysLett,1998,72(15):18351837.
[16] TangYH,ZhangYF,WangN,etal.MorphologyofSinanowiressynthesizedbyhigh temperaturelaserablation[J].JApplPhys,1999,85(11):79817983.
[17] BormettRA,AsherSA,WitowskiRE,etal.UltravioletRamanspectroscopycharacterizesCVDfilmgrowthandoxidation[J].JApplPhys,1995,77(11):59165923.
[18] WagnerRS,EllisWC.Vapor liquid solidmechanismofsinglecrystalgrowth[J].ApplPhysLett,1964,4(5):8990