SnO2气敏元件烧结工艺与电性能关系的复阻抗分析

傅刚¹，张进修²，陈志雄²

(1.中山大学物理系, 广州 510275　广州师范学院物理系, 广州 510405;
2.广州师范学院物理系, 广州 510405)

摘要:采用平面丝网印刷工艺制备SnO2厚膜气敏试样，分别在不同烧结温度和保温时间下于空气中烧成，测量试样的灵敏度和稳定性，并通过复阻抗分析方法，研究SnO2气敏元件烧结工艺和电性能的关系，探讨烧结工艺对敏感材料微结构的影响．结果表明，适当调整烧结工艺参数可以使元件既有较高的气体灵敏度又有良好的长期稳定性；复阻抗分析表明, 随保温时间延长, 试样的电阻--电抗曲线半圆弧的弥散角逐渐减小至零, 说明适当延长保温时间使晶粒间界处的弛豫时间分布趋向一致，晶界处晶粒的接触形态以及开口气孔和缺陷的分布等更趋均一和稳定．

关键词:SnO2气敏元件; 厚膜; 烧结温度; 保温时间; 复阻抗分析; SnO2 gas sensor; thick film; calcining temperature; calcining time; complex impedancedocument;

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