钾薄膜中俄歇电子的非弹性平均自由程

来源期刊：分析试验室1991年第1期

论文作者：崔凤辉 M.A.Chesters

文章页码：6 - 10

关键词：钾薄膜;俄歇电子;非弹性性平均自由程;

摘    要：本文测定了钾薄膜中能量为65、256和921eV的俄歇电子的非弹性平均自由程（IMFP）。在室温下,钾蒸气在清洁的铜单晶（100）表面只沉积成单原子层的薄膜;当温度低至-173℃～-123℃时可沉积成多原子层薄膜,且薄膜是按原子层逐层沉积而成。根据薄膜中所包含的原子层的层数可以计算出薄膜的厚度。铜衬底的俄歇信号和沉积层的俄歇信号均可用于计算钾薄膜中俄歇电子的IMFP,其结果为0.64nm（65eV）、1.01nm（256ev）和2.20nm（921eV）。