高熔点聚碳硅烷的合成及其裂解机理的研究
来源期刊：宇航材料工艺1999年第5期
论文作者：范小林 冯春祥 宋永才 李效东
关键词：高熔点; 聚碳硅烷; 热裂解机理;
摘 要：对高熔点聚碳硅烷的合成反应条件进行了较为详细的研究,并通过改变化学反应的温度、压力和反应时间制备出了熔点高达380℃、数均分子量Mn＞3 000、陶瓷收率达79%(质量分数)以上的陶瓷先驱体聚合物.该先驱体溶解性能好,并具有良好的纺丝性能.文中还利用IR、TG-DTA等手段对该先驱体的热解机理进行了初步探讨.
范小林1，冯春祥1，宋永才1，李效东1
(1.国防科技大学材料科学工程与应用化学系,长沙,410073)
摘要:对高熔点聚碳硅烷的合成反应条件进行了较为详细的研究,并通过改变化学反应的温度、压力和反应时间制备出了熔点高达380℃、数均分子量Mn＞3 000、陶瓷收率达79%(质量分数)以上的陶瓷先驱体聚合物.该先驱体溶解性能好,并具有良好的纺丝性能.文中还利用IR、TG-DTA等手段对该先驱体的热解机理进行了初步探讨.
关键词:高熔点; 聚碳硅烷; 热裂解机理;
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