N型硅压阻系数π₁₁与π₁₂之间关系的理论推导

来源期刊：东北大学学报(自然科学版)1986年第2期

论文作者：李博

文章页码：93 - 96

关键词：压阻系数;N型硅;压阻效应;

摘    要：本文应用能带结构的多谷模型,对N型硅在[100]方向的压阻效应进行了理论分析。当沿N型硅晶体的[100]轴施加压力并分别在[100]和[010]方向加电场时所引起的电导率变化的主要原因是:电子在能谷之间转移时,电子的迁移率发生变化。由此推导出N型硅的纵向压阻系数π₁₁与横向阻压系π₁₂之间的关系是: π₁₂=-1/2π₁₁且π₁₂的符号是“正”,π₁₁的符号是“负”。这一结果与C.S.Smith的实验测量数据吻合。