PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究
来源期刊：功能材料2005年第12期
论文作者：赵宇 胡礼中 王兆阳 张贺秋 李银丽 赵杰 王志俊
关键词：ZnO薄膜; 反射式高能电子衍射; X射线衍射; 光致发光;
摘 要：用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜.RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降.相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜.XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善.在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV.
赵宇1，胡礼中1，王兆阳1，张贺秋1，李银丽1，赵杰1，王志俊1
(1.大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024)
摘要:用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜.RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降.相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜.XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善.在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV.
关键词:ZnO薄膜; 反射式高能电子衍射; X射线衍射; 光致发光;
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