单缺位磷钨杂多酸聚吡咯修饰电极的制备及其电化学性能

来源期刊：分析试验室1999年第4期

论文作者：杨志 王宅中

文章页码：3 - 5

关键词：单缺位磷钨酸;聚吡咯膜;化学修饰电极;亚硝酸根;电催化还原;

摘    要：在玻碳电极（ＧＣ）上，用电化学方法将单缺位Ｄａｗｓｏｎ型磷钨杂多酸盐Ｋ１０Ｐ２Ｗ１７Ｏ６１·１５Ｈ２Ｏ的阴离子（Ｐ２Ｗ１７）掺杂到聚吡咯（ＰＰＹ）薄膜中制成的Ｐ２Ｗ１７／ＰＰＹ／ＧＣ化学修饰电极，既保持了该杂多酸的电化学活性和电催化性能，又具有良好的稳定性与灵敏度。研究表明，浓度为０．５ｍｏｌ／Ｌ的Ｈ２ＳＯ４溶液中，聚吡咯薄膜中Ｐ２Ｗ１７的第一个还原峰对ＮＯ－２的电还原具有很好的催化活性，其催化电流与ＮＯ－２浓度在６．０×１０－５～２．６×１０－２ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好的线性关系。