硼硅玻璃与硅阳极键合机理及其界面微观结构分析

杨立强¹，秦会峰²，孟庆森³

(1.山西北方惠丰机电有限公司计量中心,山西,长治,046100;
2.山西机电职业技术学院机械工程系,山西,长治,046100;
3.太原理工大学材料科学与工程学院,山西,太原,030024)

摘要:为提高玻璃与硅的阳极键合技术在微电子制造和封装过程中的稳定性,对硼硅玻璃与硅进行了阳极键合试验.通过工艺试验,从固态热力学角度分析键合温度和电压对硅/玻璃键合质量的影响;通过扫描电镜对硅/玻璃键合界面的微观结构进行分析,认为键合温度和界面区的强电场是形成界面过渡层的主要因素.界面过渡层的形成促进了硅,玻璃的永久键合.

关键词:阳极键合; 硼硅玻璃; 硅; 过渡区;

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