界面掺杂FeMn对CoFe/CrPt交换偏置体系的影响
来源期刊：功能材料2007年第5期
论文作者：赖武彦 蔡健旺 代波
关键词：交换偏置; 钉扎场; 反铁磁;
摘 要：采用磁控溅射的方法制备了CoFe/CrPt钉扎的交换偏置体系,用外加磁场真空退火以获得钉扎场.通过把反铁磁的FeMn掺入到该钉扎体系中发现,约0.7nm厚度的FeMn掺入在CoFe/CrPt的界面时,可以使体系的钉扎场从原来的5.6×103A/m增加到1.55×104A/m,而体系的Blocking温度仍然可以达到600℃.
赖武彦1，蔡健旺1，代波2
(1.中国科学院物理研究所,磁学国家重点实验室,北京,100086;
2.西南科技大学,材料科学与工程学院,四川,绵阳,621010)
摘要:采用磁控溅射的方法制备了CoFe/CrPt钉扎的交换偏置体系,用外加磁场真空退火以获得钉扎场.通过把反铁磁的FeMn掺入到该钉扎体系中发现,约0.7nm厚度的FeMn掺入在CoFe/CrPt的界面时,可以使体系的钉扎场从原来的5.6×103A/m增加到1.55×104A/m,而体系的Blocking温度仍然可以达到600℃.
关键词:交换偏置; 钉扎场; 反铁磁;
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