薄膜厚度对Au/ZnO/n⁺-Si薄膜压敏电阻器阈值电压的影响

来源期刊：功能材料与器件学报2011年第2期

论文作者：季振国 王玮丽 毛启楠 席俊华

文章页码：179 - 332

关键词：ZnO薄膜;压敏电阻器;阈值电压;薄膜厚度;

摘    要：本文采用直流磁控溅射法和多次沉积与掩膜技术,在n+Si（100）衬底上制备了一系列厚度不同的ZnO薄膜,表面镀Au的探针与ZnO/n+-Si构成了一系列ZnO层厚不同的Au/ZnO/n+-Si薄膜压敏电阻器。利用X射线衍射确定沉积的ZnO薄膜为高度c轴（0002）取向的晶体薄膜,利用紫外-可见透射光谱对沉积的ZnO薄膜的厚度进行了定标。分别测量了不同厚度的处Au/ZnO/n+-Si结构的I-V特性曲线,从而得到了阈值电压与ZnO薄膜厚度之间的关系。结果表明:随着ZnO薄膜厚度的增加,Au/ZnO/n+-Si压敏电阻器的阈值电压线性增大。因此,可以通过控制ZnO层的厚度精确控制压敏电阻器的阈值电压。