退火温度对NiZn铁氧体薄膜性能的影响
来源期刊：材料导报2009年增刊第1期
论文作者：李可为 孙科 兰中文 赵晓宁 余忠
关键词：射频磁控溅射; NiZn铁氧体薄膜; 退火温度; RF magnetron sputtering technique; NiZn ferrite thin films; annealing temperature;
摘 要：采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上制备了NiZn铁氧体薄膜,研究了退火温度对薄膜性能的影响.采用XRD分析仪分析了薄膜的相结构,原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌,振动样品磁强计测量了薄膜的磁性能,结果表明,随着退火温度的升高,薄膜的结晶状态越好,晶粒尺寸越大,饱和磁感应强度越高,面内矫顽力越小.
李可为1，孙科2，兰中文2，赵晓宁2，余忠2
(1.成都电子机械高等专科学校集成电路制造工程研究所,成都,610031;
2.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054)
摘要:采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上制备了NiZn铁氧体薄膜,研究了退火温度对薄膜性能的影响.采用XRD分析仪分析了薄膜的相结构,原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌,振动样品磁强计测量了薄膜的磁性能,结果表明,随着退火温度的升高,薄膜的结晶状态越好,晶粒尺寸越大,饱和磁感应强度越高,面内矫顽力越小.
关键词:射频磁控溅射; NiZn铁氧体薄膜; 退火温度; RF magnetron sputtering technique; NiZn ferrite thin films; annealing temperature;
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