退火对Al/CdZnTe肖特基接触特性的影响

来源期刊：功能材料与器件学报2010年第3期

论文作者：白旭旭 介万奇 查钢强 王涛 傅莉

文章页码：289 - 293

关键词：肖特基;Al/CdZnTe;I-V;C-V;

摘    要：在CdZnTe表面采用真空蒸镀制备了Au和Al电极,研究了在N₂氛围退火对Al/CdZnTe接触特性的影响。退火温度在100℃到300℃之间变化,退火时间为5 min。采用Agilent4155c半导体测试仪测试了样品在不同温度退火后的I-V特性。采用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪测试了样品在不同温度退火后的C-V特性。I-V和C-V曲线表明,低温退火会使接触势垒高度增加,理想因子趋近于1,电容值下降为退火前的一半左右。当退火温度高于250℃时,接触势垒高度下降,理想因子偏离1,电容值下降近一个数量级。